单质金属只含有一种元素的原子,因此,固体物理学便从这种最简单的固体开始构建数学模型。

中学物理告诉我们,原子由原子核和电子构成,电子和原子核之间有非常复杂的相互作用,不利于用于分析固体的性质;中学化学告诉我们,原子中内层电子是相对稳定的,不容易摆脱原子核的引力而成为自由电子,因此,科学家首先将原子视作由离子实和价电子组成。为了进一步简化分析,我们忽略离子实与价电子的相互作用,以及电子与电子之间的相互作用,这样,离子实只是自由电子的背景,整个固体金属是由“自由电子气体”组成的。之所以有这样的模型,是因为电子被发现的时候,科学家并不清楚原子的内部结构,在合理猜想的基础上试图构建了一个能够解释固体金属性质的理论。

1897年,J. J. Thomson发现了电子,并建立了“葡萄干布丁”原子模型:原子是一个实心球,正电荷均匀分布在球体内,电子像面包里的葡萄干一样镶嵌其中。1900年,Drude利用分子运动理论,将金属中的电子看作是一个个刚性球,这些小球在相对固定的离子实之间运动、碰撞,该理论解释了金属电导率、室温热导率等性质,定性说明了Wiedemann-Franz定律,但无法正确表征电子比热和电子磁化率。1928年,Sommerfeld向Drude模型引入量子力学,将金属中的电子看作是符合Fermi-Dirac统计的量子自由电子气体,解释了低温下的电子比热和电子磁化率,这就是本文将要重点阐述的自由电子气体的“准经典”模型。准经典模型“忽略了离子实与价电子之间的相互作用”,“忽略了电子与电子之间的相互作用”,但却是现代“固体物理学”和“凝聚态物理学”建立和发展的起点。

金属的性质与内部的电子密度有关,电子密度\(n\)就是单位体积中的平均电子数,大气的密度为\(10 ^{19} /cm^3 \),而电子密度则高达\(10 ^{22} \sim 10 ^{23} /cm^3 \)。电子密度是Drude模型中的一个独立变量。

如果把每个电子平均占据的体积看做球形,球的半径\(r _s\)可用来表示电子的密度\(n\),它们之间的关系为

\(\frac{1}{n}=\frac{V}{N}=\frac{4}{3} \pi r _s ^3\)

\(r _s = (\frac{3}{4 \pi n}) ^\frac{1}{3}\)

\(r _s\)约为0.1\(nm\),这个数值很小,习惯上,用玻尔半径\(a _0\)来度量:

\(a _0 = \frac{4 \pi \epsilon _0 \hbar ^2}{m e ^2} = 0.52917721092(17) \times 10 ^{-11} m\)

其中\(\epsilon _0\)为真空介电常数,\(m\),\(e\)分别为电子质量和电荷量,\(\hbar\)为约化普朗克常数,\(\hbar = h / 2 \pi\),\(h\)为普朗克常数。

综上所述,\(r _s\),\(r _s / a _0\)都是表征电子密度\(n\)的,并不是独立的变量。

1. 单电子本征态和本征能量

讨论金属自由电子气体的性质,首先应该搞清楚单个电子的状态。

温度T=0时,体积\(V = L ^3\)中存在\(N\)个自由电子,其中,单电子状态可用波函数\(\psi (\overrightarrow{r})\)描述,\(\psi (\overrightarrow{r})\)满足不含时的薛定谔方程:

\(-\frac{\hbar ^2}{2m} \nabla ^2 \psi (\overrightarrow{r}) = \varepsilon \psi (\overrightarrow{r})\)

其中,\(\varepsilon \)是电子的本征能量。该方程的平面波解为

\(\psi (\overrightarrow{r}) = C e ^{i \overrightarrow{k}\cdot \overrightarrow{r}}\)

\(C\)是归一化常数。在体积\(V\)中找到该电子的概率为1,即

\(\int_V \left| \psi (\overrightarrow{r}) \right| ^2 {\rm d} \overrightarrow{r} = 1\)

通过该积分可确定\(C\)值,这样,薛定谔方程的解就可以写成

\(\psi _k (\overrightarrow{r}) = \frac{1}{\sqrt{V}} e ^{i \overrightarrow{k}\cdot \overrightarrow{r}}\)

标记波函数的\(\overrightarrow{k}\)是平面波的波矢,其方向是平面波传播方向,大小与波长\(\lambda \)的关系为\(k = \frac{2 \pi }{\lambda}\)。

将\(\psi _k (\overrightarrow{r}) = \frac{1}{\sqrt{V}} e ^{i \overrightarrow{k}\cdot \overrightarrow{r}}\)代入\(-\frac{\hbar ^2}{2m} \nabla ^2 \psi (\overrightarrow{r}) = \varepsilon \psi (\overrightarrow{r})\),得到

\(\varepsilon (\overrightarrow{k}) = \frac{\hbar ^2 k ^2}{2m}\)

\(\psi _k (\overrightarrow{r})\)是动量算符\(\hat p = -i \hbar \nabla\)的本征态,即

\(-i \hbar \nabla \psi _k (\overrightarrow{r}) = \hbar \overrightarrow{k} \psi _k (\overrightarrow{r}) \)

因此\(\psi _k (\overrightarrow{r})\)态的电子有确定的动量\(\overrightarrow{p} = \hbar \overrightarrow{k} \);

相应的速度为\(\overrightarrow{\upsilon} = \frac{\overrightarrow{p}}{m} = \frac{\hbar \overrightarrow{k}}{m} \);

电子的能量为\(\varepsilon = \frac{1}{2}m \upsilon ^2 = \frac{p ^2}{2m} = \frac{\hbar ^2 k ^2}{2m}\)。

\(\overrightarrow{k}\)的取值需要由边界条件来确定,通常采用周期性条件,也就是Born-von Karman边界条件:

\(\begin{cases} \psi(x + L,y,z) = \psi(x,y,z) \cr \psi(x,y + L,z) = \psi(x,y,z) \cr \psi(x,y,z + L) = \psi(x,y,z) \end{cases}\)

代入到\(\psi _k (\overrightarrow{r}) = \frac{1}{\sqrt{V}} e ^{i \overrightarrow{k}\cdot \overrightarrow{r}}\),得到

\(e ^{ik _x L} = e ^{ik _y L} = e ^{ik _z L} = 1 \)

因此有

\(k _x = \frac{2 \pi}{L} n _x \),\(k _y = \frac{2 \pi}{L} n _y \),\(k _z = \frac{2 \pi}{L} n _z \)

式中,\(n\)为整数,这样,电子能量\(\varepsilon = \frac{\hbar ^2 k ^2}{2m}\)不再是任意值,而是被量子化了。

把波矢\(\overrightarrow{k}\)看做空间矢量,相应的空间称为\(k\)空间,\(\overrightarrow{k}\)在\(k\)空间是一系列分立的点,每个点的体积为\(\Delta \overrightarrow{k} = (2 \pi / L) ^3 = 8 \pi ^2 /V\),\(k\)空间中单位体积内许可态的代表点数(态密度)为

\(\frac{1}{\Delta \overrightarrow{k} } = \frac{V}{8 \pi ^3 } \)

2. 基态和基态的能量

单个电子按照一定的规则构成自由电子气体,自由电子气体的状态与单电子的状态有什么关系呢?这是本小节将要探讨的主要问题。

根据泡利不相容原理(Pauli exclusion principle),每个\(k\)空间中的点可容纳自旋相反的两个电子。\(N\)个电子的基态,从能量最低的\(\overrightarrow{k} = 0 \)态开始,按能量从低到高,依次填充,最后得到费米球(Fermi sphere),其半径称为费米波矢(Fermi vector)\(k _F\),费米球表面在\(k\)空间中把占据态和未占据态分开,称为费米面(Fermi surface)。

费米球的体积可记作\(\frac{4}{3} \pi k _F ^3 \),态密度\(\frac{1}{\Delta \overrightarrow{k} } = \frac{V}{8 \pi ^3 } \),每个态可容纳两个电子,因此有

\(2 \times \frac{V}{8 \pi ^3 } \times \frac{4}{3} \pi k _F ^3 = N \)

整理后即

\(k _F ^3 = 3 \pi ^2 \frac{N}{V} = 3 \pi ^2 n\)

费米波矢\(k _F\)与电子密度\(n\)建立了联系,而\(k _F\)可用来表征费米面上单电子态的能量,即费米能量(Fermi energy),\(\varepsilon _F = \frac{\hbar ^2 k ^2 _F}{2m} \),相应的,还有费米动量(Fermi momentum),\(p _F = \hbar k _F \),费米速度(Fermi velocity),\(\upsilon _F = \frac{\hbar k _F}{2m} \),费米温度(Fermi temperature),\(T _F = \frac{\varepsilon _F}{k _B} \),\(k _B\)为玻尔兹曼常数。对于金属,一般有

\(k _F \approx 10 ^8 cm ^{-1}\),\(\varepsilon _F \approx 2 \sim 10 eV \),\(\upsilon _F \approx 10 ^8 cm/s \),\(T _F \approx 10 ^4 \sim 10 ^5 K \)。

单位体积自由电子气体的基态能量\({\cal{E} } / V\)可由费米球内所有单电子能级的能量之和表示

\(\frac{ {\cal{E} } }{V} = \frac{2}{V} \sum _{k \lt k _F} \frac{\hbar ^2 k ^2 }{2m} \)

由于\(\frac{1}{\Delta \overrightarrow{k} } = \frac{V}{8 \pi ^3 } \),代入上式,得到

\(\frac{ {\cal{E} } }{V} = \frac{2}{8 \pi ^3 } \sum _{k \lt k _F} \frac{\hbar ^2 k ^2 }{2m} \Delta \overrightarrow{k} \)

当\(\Delta \overrightarrow{k} \rightarrow 0 (V \rightarrow \infty ) \)时,有

\(\lim _{V \rightarrow \infty } \frac{1}{V} \sum _k F (\overrightarrow{k}) = \frac{1}{8 \pi ^3 } \int F (\overrightarrow{k}) {\rm d} \overrightarrow{k} \)

代入前面的公式,就得到了

\(\frac{ {\cal{E} } }{V} = \frac{1}{4 \pi ^3 } \int _{k \lt k _F} \frac{\hbar ^2 k ^2 }{2m} {\rm d} \overrightarrow{k} = \frac{1}{\pi ^2 } \frac{\hbar ^2 k ^5 }{10m} \)

这是单位体积自由电子气体的基态能量。

根据

\(N = 2 \times \frac{V}{8 \pi ^3 } \times \frac{4}{3} \pi k _F ^3 \)

可以得到

\(\frac{ {\cal{E} } }{N} = \frac{3}{5} \varepsilon _F \)

这是\(T = 0 \)时,基态自由电子气体中每个电子的平均能量。需要注意的是,自由电子气体在\(T = 0 \)时的能量并不为零。

态密度是固体物理中的一个重要概念,下面从态密度的概念出发,重新推导基态自由电子气体中每个电子的平均能量。

首先需要得到态密度的表达式。单位体积样品中,单位能量间隔内的电子态数称为单位体积的态密度,记作\(g (\varepsilon )\),能量\(\varepsilon \)到\(\varepsilon + {\rm d} \varepsilon \)间的电子态数为

\({\rm d} N = V g (\varepsilon ) {\rm d} \varepsilon \)

在\(k\)空间中,\(\varepsilon \)和\(\varepsilon + {\rm d} \varepsilon \)的等能面球壳,对应于\(k \)和\(k + {\rm d} k \),因此,有

\({\rm d} N = 2 \frac{V}{8 \pi ^3} 4 \pi k ^2 {\rm d}k\)

已知\(\varepsilon = \frac{\hbar ^2 k ^2}{2m}\),也就是\(k _2 = \frac{1}{\hbar ^2 } 2m \varepsilon \),代入上式

\(V g (\varepsilon ) {\rm d} \varepsilon = {\rm d} N = 2 \frac{V}{8 \pi ^3} 4 \pi k ^2 {\rm d}k = \frac{V}{\pi ^2 \hbar ^3} (2 m ^3 \varepsilon ) ^{\frac{1}{2} } {\rm d} \varepsilon \)

对比左右两侧,可知

\(g (\varepsilon ) = \frac{1}{\pi ^2 \hbar ^3} (2 m ^3 \varepsilon ) ^{\frac{1}{2} }\)

该表达式可用于推导基态时每个电子的平均能量,过程如下:

将\(\varepsilon _F = \frac{\hbar ^2 k ^2 _F}{2m} \)和\(k _F ^3 = 3 \pi ^2 n\)代入,整理后得到

\(g (\varepsilon _F ) = \frac{3}{2} \frac{n}{\varepsilon _F } \)

基态自由电子气体中每个电子的平均能量就是

\(\frac{ {\cal{E} } }{N} = \int _0 ^{\varepsilon _F} \varepsilon g (\varepsilon) {\rm d} \varepsilon / \int _0 ^{\varepsilon _F} g (\varepsilon) {\rm d} \varepsilon \)

\(= \int _0 ^{\varepsilon _F} \varepsilon ^{\frac{3}{2} } {\rm d} \varepsilon / \int _0 ^{\varepsilon _F} \varepsilon ^{\frac{1}{2} } {\rm d} \varepsilon \)

\(= \frac{3}{5} \varepsilon _F \)

与前文的结论是一致的。

3. 化学势

上小节已经讨论了\(T=0\)时,自由电子气体的状态,本节开始讨论\(T \neq 0\)情形下,自由电子气体的状态变化。

\(T \neq 0\)时,\(N\)个电子在本征态上的分布情况需要用到由Fermi-Dirac分布函数:

\(f _i = \frac{1}{e ^{(\varepsilon _i - \mu )/k _B T} +1 } \)

\(f _i\)是电子占据本征态\(\varepsilon _i \)的概率,\(\mu \)是系统的化学势,由总粒子数决定:

\(N = \sum _i f _i \)

\(T \rightarrow 0\)时有

\( \lim _{T \rightarrow 0} f _i = \begin{cases} 1, & \varepsilon _i \lt \mu, \cr 0, & \varepsilon _i \gt \mu. \end{cases} \)

可见,占据态与非占据态有一个清晰的分界,也就是

\(\lim _{T \rightarrow 0} \mu = \varepsilon _F \)

当\(T \neq 0\)时,若\(\varepsilon _i\)比\(\mu \)大几个\(k _B T\)时,\(f _i \approx 0\);若\(\varepsilon _i\)比\(\mu \)小几个\(k _B T\)时,\(f _i \approx 1\)。

室温附近,\(k _B T / \mu \approx 0.01 \),分布函数和\(T = 0\)情形的差别仅出现在非常接近\(\mu \)处,一些电子被热激发到\(\varepsilon \gt \mu\)的态上,在\(\varepsilon \lt \mu\)处留下一些空态。

下面详细分析化学势随温度的变化情况。

\(T \neq 0\)时自由电子气体单位体积的内能为

\(u = \frac{2}{V} \sum _k \varepsilon(\overrightarrow{k}) f _k = \frac{1}{4 \pi ^3 } \int \varepsilon(\overrightarrow{k}) f _k {\rm d} \overrightarrow{k} \)

电子总数为

\(n = \frac{2}{V} \sum _k f _k = \frac{1}{4 \pi ^3 } \int f _k {\rm d} \overrightarrow{k} \)

用态密度\(g (\varepsilon) \)来表示,就是

\(u = \int _0 ^{\infty } \varepsilon g (\varepsilon) f (\varepsilon) {\rm d} \varepsilon \)

\(n = \int _0 ^{\infty } g (\varepsilon) f (\varepsilon) {\rm d} \varepsilon \)

下面将对这两个式子做一些数学处理,为了简化推导,两式统一写成

\(I = \int _0 ^{\infty } H (\varepsilon) f (\varepsilon) {\rm d} \varepsilon\)

当\(I\)为\(u\)和\(n\)时,\(H (\varepsilon) \)分别为\(\varepsilon g (\varepsilon) \)和\(g (\varepsilon) \)。

进行分部积分

\(I = \left. Q (\varepsilon) f (\varepsilon) \right| _0 ^{\infty } + \int _0 ^{\infty } Q (\varepsilon) (-\frac{\partial f}{\partial \varepsilon } ) {\rm d} \varepsilon\)

其中

\(Q (\varepsilon) = \int _0 ^{\infty } H (\varepsilon ) {\rm d} \varepsilon \)

式中第一项为0。将\(Q (\varepsilon)\)在\(\mu \)处作泰勒(Taylor)展开:

\(Q (\varepsilon) = Q (\mu ) + (\varepsilon - \mu ) Q ‘ (\mu ) + \frac{1}{2} (\varepsilon - \mu ) ^2 Q ‘’ (\mu ) + \ldots \)

代入到分部积分式的第二项中,得到

\(I = Q (\mu ) \int _0 ^{\infty } (-\frac{\partial f}{\partial \varepsilon } ) {\rm d} \varepsilon + Q ‘ (\mu ) \int _0 ^{\infty } (\varepsilon - \mu ) (-\frac{\partial f}{\partial \varepsilon } ) {\rm d} \varepsilon + \frac{1}{2} Q ‘’ (\mu ) \int _0 ^{\infty } (\varepsilon - \mu ) ^2 (-\frac{\partial f}{\partial \varepsilon } ) {\rm d} \varepsilon + \ldots \)

由于\((-\frac{\partial f}{\partial \varepsilon } )\)为\((\varepsilon - \mu )\)的偶函数,该式第二项为0。取到二级近似,得到

\(I = Q (\mu ) + \frac{\pi ^2 }{6} Q ‘’ (\mu )(k _B T) ^2 \)

\(\mu (T) \)实际上与\(T = 0\)时的值\(\varepsilon _F \)非常接近,因此,近似有

\(Q (\mu ) = Q (\varepsilon _F) + (\mu - \varepsilon _F ) Q ‘ (\varepsilon _F) \)

经过上面的数学处理,可将\(H (\varepsilon) = \varepsilon g (\varepsilon) \)和\(H (\varepsilon) = g (\varepsilon) \)代入并化简。

将\(H (\varepsilon) = g (\varepsilon) \)代入,得到

\(n = \int _0 ^{\varepsilon _F } g (\varepsilon ) {\rm d } \varepsilon + (\mu - \varepsilon _F )g (\varepsilon _F) + \frac{\pi ^2 }{6} g ‘ (\varepsilon _F) (k _B T) ^2 \)

等式右边第一项为基态电子密度,与等式左边相消,因此

\(\mu = \varepsilon _F - \frac{\pi ^2 }{6} \frac{g ‘ (\varepsilon _F)}{g (\varepsilon _F) } (k _B T)^2 \)

已知 \(g (\varepsilon ) = \frac{1}{\pi ^2 \hbar ^3} (2 m ^3 \varepsilon ) ^{\frac{1}{2} }\),因此

\(\mu = \varepsilon _F \left[1 - \frac{\pi ^2 }{12} \left( \frac{k _B T}{\varepsilon _F } \right) ^2 \right] \)

室温下,\( (k _B T / \varepsilon _F ) ^2 \sim 10 ^{-4} \),可见,化学势\(\mu \)与\(\varepsilon _F \)非常接近,因此,我们经常把\(\mu \)直接称为费米能量。

4. 比热

继续前一小节的推导,将\(H (\varepsilon) = \varepsilon g (\varepsilon) \)代入,得到

\(u = \int _0 ^{\varepsilon _F } \varepsilon g (\varepsilon ) {\rm d } \varepsilon + \varepsilon _F g (\varepsilon _F) (\mu - \varepsilon _F ) + \frac{\pi ^2 }{6} \frac{ {\rm d} }{ {\rm d} \varepsilon} (\varepsilon g (\varepsilon ) ) _{\varepsilon _F} (k _B T) ^2 \)

将\(\mu = \varepsilon _F - \frac{\pi ^2 }{6} \frac{g ‘ (\varepsilon _F)}{g (\varepsilon _F) } (k _B T)^2 \)代入,得到

\(u = \int _0 ^{\varepsilon _F } \varepsilon g (\varepsilon ) {\rm d } \varepsilon + \frac{\pi ^2 }{6} g (\varepsilon _F) (k _B T) ^2 \)

记基态单位体积的内能为\(u _0 \),则

\(u _0 = \int _0 ^{\varepsilon _F } \varepsilon g (\varepsilon ) {\rm d } \varepsilon = \frac{(2m ^2) ^{\frac{1}{2} } }{\pi ^2 \hbar ^3} \frac{2}{5} \varepsilon _F ^{\frac{5}{2} } \)

已知\(T _F = \frac{\varepsilon _F}{k _B} \),\(g (\varepsilon _F) = \frac{m k _F }{\pi ^2 \hbar ^2} \),因此

\(u = u _0 + \frac{\pi ^2 }{6} \frac{m k _F }{\pi ^2 \hbar ^2 } (k _B T) ^2 \)

而\(k _F = \left( \frac{2m \varepsilon _F }{\hbar ^2} \right) ^{\frac{1}{2} } = \frac{1}{\hbar } (2mk _B T _F ) ^{\frac{1}{2} } \),因此有

\(u = u _0 + \frac{\pi ^2}{6} \frac{(2m^3 k _B T _F) ^{\frac{1}{2} } }{\pi ^2 \hbar ^3} (k _B T) ^2 \)

\(= u _0 + \frac{\pi ^2}{6} \frac{5}{2} \frac{2}{5} \frac{(2m^3) ^{\frac{1}{2} } }{\pi ^2 \hbar ^3} k _B ^{\frac{5}{2} } \left( \frac{T}{T _F} \right) ^2 T _F ^{\frac{5}{2} } \)

\(= u _0 + \frac{5 }{12 } \pi ^2 u _0 \left( \frac{T}{T _F} \right) ^2 \)

\(= u _0 \left[ 1 + \frac{5 }{12 } \pi ^2 \left( \frac{T}{T _F} \right) ^2 \right] \)

根据比热的定义,自由电子气体的比热为

\(C _V = \left( \frac{\partial u}{\partial T} \right) _n = \frac{\pi ^2}{3} k _B ^2 g(\varepsilon _F) T \)

代入\(g (\varepsilon _F = \frac{3}{2} \frac{n}{\varepsilon _F } \)和\(\varepsilon _F = k _B T _F\),得到

\(C _V = \frac{\pi ^2}{2} n k _B \frac{T}{T _F} \)

将其简写为

\(C _V = \gamma T \)

其中\(\gamma \)称为电子比热系数,通过电子比热测量,就可以得到\(g (\varepsilon _F) \),可用于研究费米面的性质。这个公式在能带论中还会用到。

这个式子只表征了电子比热,实际上,还需要考虑晶格比热,此时需改写为

\(C _V = \gamma T + \beta T ^3 \)

晶格比热将在后续的专题中详细讨论。

5. 顺磁性

电子具有1个玻尔磁子的磁矩:

\(\mu _B = \frac{e \hbar}{2m} = 9.27 \times 10 ^{-24} A \cdot m ^2 \)

对于自由电子气体,磁化率\(\chi \)随温度的变化应遵从居里定律,正比于\(\frac{1}{T}\)。实际上,一般金属的磁化率在\( T \ll T _F \)时,近似为常数,并且比理论值小两个数量级。

在外场\(\overrightarrow{B}\)的作用下,电子自旋磁矩有与外场平行和反平行两个取向,可形象地将态密度曲线分成两半,分属不同的磁矩方向。外场\(\overrightarrow{B}\)使它们沿能量轴向相反的方向移动\(\mu _B B\)。当\(B\)为\(1 T\)时,\(\mu _B B\)约\(10 ^{-5} eV\),远小于\(\varepsilon _F\),对于磁矩方向与外场相反的电子,能量较高的电子将磁矩反转,填到磁矩方向与外场相同的空态上,使两种磁矩的电子有相同的化学势。

发生磁矩反转的电子数为\(\frac{1}{2} \mu _B B g(\varepsilon _F)\),每反转一个电子,沿磁场方向磁矩改变\(2 \mu _B\),产生的总磁矩为

\(M = \mu _B ^2 g(\varepsilon _F) B\)

相应的磁化率称为泡利顺磁磁化率:

\(\chi = \frac{\mu _0 M}{B} = \mu _0 \mu _B ^2 g(\varepsilon _F)\)

其中,\(\mu _0\)为真空磁导率。

6. 电场中的自由电子

电导率、介电常数、霍尔系数、热导率等都与自由电子的运动有关,为了描述电子的运动特征,在电子密度的基础上,需要引入一个新的独立变量:弛豫时间\(\tau\)。

自由电子在离子实构成的背景中运动,会发生碰撞、散射,碰撞改变电子运动速度的大小和方向,并使电子达到与环境的热平衡。电子相继两次碰撞所经过的平均距离称为平均自由程\(l\)。

\({\rm d}t\)时间内,任一电子受到碰撞的概率(或全部电子中受碰撞部分的比率)为\(\frac{ {\rm d}t }{\tau}\),\(\tau\)相当于电子相继两次散射间的平均时间,称为弛豫时间。

金属电子的动量典型值为\(\hbar k _F\),确定的动量要求\(\Delta p \ll \hbar k _F\),根据不确定原理\(\Delta x \Delta \approx \hbar \)(严格地应为\(\Delta x \Delta \geqslant \frac{1}{2} \hbar \) ),坐标的不确定度为:

\(\Delta x \approx \frac{\hbar}{\Delta p} \ll \frac{1}{k _F} \approx r _s \)

\(r _s\)为电子平均占据球的半径,\(r _s \sim 10 ^{-1} {\rm nm}\),\(l \sim 10 {\rm nm}\),外场显著变化的尺度以其波长\(\lambda\)表征,对于可见光\(\lambda \sim 10 ^{2} {\rm nm}\),可见,\(\lambda\)和\(l\)远大于\(r _s\),这是Drude经典模型近似成立的条件。

经典理论中,电子速度取平均热运动速度,\( \upsilon _{th} ^2 \approx k _B T / m \);量子化后,取\( \upsilon _F \)代替\( \upsilon _{th} \),\( \upsilon _F ^2 \approx 2 \epsilon _F / m \),比\( \upsilon _{th} ^2 \)大\( \epsilon _F / k _B T \)倍。这种将\( \upsilon _{th} \)换为\( \upsilon _F \)的处理方式就是准经典模型。

下面基于准经典模型推导电子的动力学方程。

假定\( t \)时刻电子的平均动量为\( \vec p (t) \),经\( {\rm d}t \)时间,电子没有发生碰撞的概率为\( 1- \frac{ \rm d }{ \tau } \),这部分电子对平均动量的贡献为

\( \vec p (t+{\rm d} t) = (1-\frac{\rm d}{ \tau })[\vec p (t) + \vec F (t) {\rm d} t] \)

\(\vec F (t)\)为电子在\(t\)时刻所受作用力。

\( \vec p (t+{\rm d}t) = \vec p (t) + \vec F (t) {\rm d}t - \vec p (t) \frac{ {\rm d}t }{\tau} - \vec F (t) \frac{ {\rm d}^2 t }{\tau} \)

发生碰撞电子比率为\(\rm d t\),它们对\( \vec p (t+{\rm d} t) \)的贡献源于碰撞前在外力作用下的动量变化,该力的作用时间不长于\( {\rm d}t \),总的贡献是涉及\( {\rm d}^2 t \)的二级小量,略去不计,得到

\( \vec p (t+{\rm d}t) - \vec p (t) = \vec F (t) {\rm d}t - \vec p (t) \frac{ {\rm d}t }{\tau} \)

\( \frac{ {\rm d}{\vec p}(t) }{ {\rm d}t} = \vec F (t) - \frac{\vec p (t)}{\tau} \)

这就是自由电子在外场作用下的动力学方程,由于\( \vec p (t) = m \vec \upsilon \),故有

\(m \frac{ {\rm d}{\vec \upsilon (t)} }{\rm d t} = \vec F (t) - m \frac{\vec \upsilon (t)}{\tau} \)

\(\vec F (t) \)是电场力,\( m \frac{\vec \upsilon (t)}{\tau} \)是一个阻尼力。

7. 电导率

对于恒定电场的稳态情形,电子以恒定速度运动,\(\frac{ {\rm d} \upsilon (t)}{ {\rm d}t} = 0\),电子所受的电场力为\(\vec F = -e \vec E\),和阻尼力相同。此时电子的速度称为电子的漂移速度,记作\(\upsilon _d\),\(\vec {\upsilon} _d = - \frac{e \tau \vec{E} }{m}\)。

相应的电流密度为\(\vec J = -ne \vec {\upsilon} _d = \frac{ne ^2 \tau}{m} \vec E\)。

根据欧姆定律,有\(\vec J = \sigma \vec E\)。

其中,\(\sigma \)为电导率,即\(\sigma = \frac{n e^2 \tau }{m}\)。

从这个公式可以发现,只要测出电导率,就可以计算处弛豫时间\(\tau \),进而可以得到平均自由程:

\(l = \upsilon _F \tau \)

对于金属,一般有

\(\tau \sim 10 ^{-14} {\rm s},l \sim 10 {\rm nm}\)

在\(k\)空间中,电场引起的漂移速度对应于波矢\(\vec k\)的改变,因此\(\vec \upsilon _d = - \frac{e \tau \vec E}{m} \),即\(m\vec \upsilon _d = - e \tau \vec E \),可改写为

\( \hbar \Delta \vec k = - e \tau \vec E \)

该式的意义是在\(k\)空间中,费米球沿\(- \vec E \)方向漂移,速度有增加的趋势。碰撞则使费米球有了确定的漂移速度\( \vec \upsilon _d \)。

8. 复介电常数

自由电子气体对电磁场的响应,表现为光学性质——这里指红外光、可见光、紫外光,波长范围为\(10 ^3 \sim 10 ^2 {\rm nm}\)。

考虑交变电场在空间的变化,电流密度表达式为

\(\vec J (\vec r, \omega) = \sigma (\omega ) \vec E (\vec r, \omega)\)

到达\(\vec r\)处的电子经历的最后一次碰撞,发生在距\(\vec r\)大约\(l\)远处,因\(\lambda \gg l\),故\(\vec r\)处的电场近似为碰撞处的电场。因此,金属中\(\vec r\)处的电流密度只和此处电场强度有关。(此外,电子还会受磁场洛伦兹力的影响,但此电场小很多,这里略去不计。)

自由电子气体的波动方程:

9. 霍尔效应和磁阻

在电场\( \vec E \)和磁场\( \vec B \)同时存在的情况下,自由电子的动力学方程为

\( \frac{ {\rm d} \vec p}{ {\rm d}t} = -e( \vec E + \vec \upsilon \times \vec B)-\frac{\vec p}{\tau} \)

假定磁场在\( z \)方向,电场与之垂直,在\( xy \)平面上。稳态时\( \frac{ {\rm d} \vec p}{ {\rm d}t}=0 \),电流密度\( \vec J = -ne \vec \upsilon \),因此

\( \sigma _0 E _x = J _x + \omega _c \tau J _y \)

\( \sigma _0 E _y = - \omega _c \tau J _x + J _y \)

其中,\( \sigma _0 \)为\( \vec B = 0 \)时的直流电导率,\( \omega _c = \frac{eB}{m} \),称为回旋频率。

\( J _y = 0 \)时有非零的\( E _y \)存在,\( E _y \)称为霍尔电场。

\( E _y = - \frac{ \omega _c \tau }{ \sigma _0 } J _x = - \frac{B}{ne} J _x \)

\( E _y \)可理解为与电子所受洛仑磁力相平衡的电场。

霍尔系数即

\( R _H = \frac{ E _y }{ J _x B _z } \)

\( R _H = -\frac{1}{ne} \)

可见\( R _H \)仅依赖于自由电子气体的电子密度。

在与电流方向垂直的磁场作用下,电流方向的电阻会发生变化,称为横向电阻,本节中即电阻率\( \rho (B) = E _x / J _x \)。对于稳态,\( J _y = 0 \),故\( J _x = \sigma _0 E _x \),意味着自由电子气体横向磁阻为0.

沿\( z \)方向,由于洛伦兹力和非零的\( \upsilon _z \),电子螺旋式前进,在\( xy \)平面投影为圆,角频率\( \omega _c = \frac{eB}{m} \),实际上,电子会发生碰撞和散射,\( \omega _c \tau \ll 1 \)时,电子走圆周很小部分,即散射;\( \omega _c \tau \gg 1 \)时,电子相继两次散射间完成多次圆周运动,表现出量子特征。

10. 热导率

德国物理学家G. H. Wiedemann和R. Franz在1853年通过实验发现,在一定温度下,许多金属的热导率和电导率比值是一个常数,这个规律被称为Wiedemann-Franz定律;1881年,H. A. Lorenz进一步发现这个常数与金属的种类无关,因此被称为Lorenz数;1928年,Sommerfeld从自由电子气体模型出发,最终给出了下面的推导过程。

温度梯度\( \nabla T\)使金属中产生热流,\( \nabla T\)不大时,有

\( \overrightarrow{J} _Q = -\kappa \nabla T\)

\(\kappa \)是材料的热导率。

金属的热流是由电子传输的,借用气体分子运动论的结论,有

\(\kappa = \frac{1}{3}C _{\upsilon} \upsilon l = \frac{1}{3}C _{\upsilon} \upsilon ^2 \tau \)

根据准经典模型,\(\upsilon\)可取\(\upsilon _F\),将\(C _{\upsilon} = \frac{\pi ^2}{2} n k _B \frac{T}{T _F}\)代入,整理后得到

\(\kappa = \frac{\pi ^2 k _B ^2 n \tau }{3m}T\)

由于电导率

\(\sigma = \frac{n e ^2 \tau}{m}\)

若热导和电导的弛豫时间相同,则有

\(L = \frac{\kappa }{\sigma T} = \frac{1}{3} (\frac{\pi k _B}{e} ) ^2 = 2.443 \times 10 ^{-8} W \cdot \Omega / K ^2 \)

该式就是Wiedemann-Franz定律,揭示了金属热导率和电导率的关系,\(L = 2.443 \times 10 ^{-8} W \cdot \Omega / K ^2\)就是Lorenz数。